半导体扩散炉 |
设备用途:用于大规模集成电路、电力电子、光电器件、光导纤维等行业的氧化、扩散、烧结、合金等工艺。 设备特点:单元组合方式。根据工艺的不同,可以在主机的基础上配气源柜、超净工作台、悬臂推拉舟等。 主要技术指标: 炉管数:1~4管 配工艺管口径:Φ90~360 mm (3~12英寸) 恒温区长度: 760~1000 mm±1.0℃ (300~800℃) 760~1000 mm±0.5℃(800~1280℃) 单点稳定性: ±1.0℃/24h (300~800℃) ±0.5℃/24h (800~1280℃) 气源路数: ≤7路,可配恒温源瓶、氢氧合成点火器 气体控制: 浮子/质量流量计 悬臂舟参数: 速度: 20~1000 mm/min 行程:2000 mm 定位精度:±1 mm 载荷:17 Kg 超净工作台: 净化等级:100级(万级厂房) 噪音: ≤62dB(A) 振动: ≤3μm |
扩散炉、扩散炉炉体供应厂家--青岛晨立
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