该设备用于氮化镓（GAN）芯片生产工艺过程中的真空退火、合金、氧化、扩散等工艺。该系统具有温度控制系统和真空压力控制系统。

主要参数： 

    工作温度范围： 度。

 使用温度：1200 度。 

    每炉可处理 25 片。标准晶圆舟 25 片。

    炉管有效口径：满足 6 寸片，可向下兼容 4、2 寸。 

    升温功率：18KVA/每管 。

    电源：三相五线制： 380V 三相五线。

    具有断偶、超温报警以及二次保护功能。